感应耦合等离子体刻蚀-ICP01
型号规格：GSE C200
购买日期：2019-10-25
设备分类：工艺实验设备
设备小类：加工工艺实验设备
制造厂商：北京北方华创微电子装备有限公司
设备产地：中国
仪器状态：内外部共享
设备原值：289万
实验地址：东莞市松山湖国际创新创业社区C1栋
服务价格(元/每小时)：1200
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检测技术服务
无-无,无-无,无-无
仪器可预约以下服务
样品加工
功能描述
1.使用电感耦合方式将反应气体等离子化，对样品表面既有化学蚀刻，又有物理蚀刻作用；
2.带脉冲蚀刻功能，能实现GaN基材料的超慢速蚀刻
技术指标
ICP功率：≤1500W； RF功率：≤300W； 装片： 8英寸，向下兼容； 基底刻蚀温度：-20℃-40℃； 主要蚀刻材料为GaN基材料，SiO2，SiNx等
上机要求
无
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