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样品测试、分析检测 注：机时费耗材另算，机时从充气放样开始计，最小计费单位0.5小时，不足0.5小时按0.5小时计费

观测固体样品的微观形貌，可达晶体排列级别分辨率，并对固体材料晶体结构进行表征

信息分辨率：≤0.12nm 加速电压：最高200kV；最低至少20kV 束流：≥0.6nA @ 1nm，最大束流≥150nA@200kV 汇聚束照明模式：最小束斑 ≤ 0.3nm 最大衍射角：≥±12 （半角） 相机长度：最小 ≤ 14mm；最大 ≥ 5700mm 分辨率：≤0.16 nm STEM放大倍数：310 - 330M 倍 样品移动范围：X,Y ≥ 2 mm；Z : ≥0.375 mm 样品漂移速率（使用单倾标准样品杆）：≤ 0.5nm/min 两个集成在极靴内的SDD 探头，每个探头晶体面积30mm2，无窗设计，快门保护 峰背比：4000：1 底装CMOS相机：像素40964096像素，像素大小：≥14um14um，拍摄速度：1fps@4k x 4k, 8fps@2k x 2k, 18ps@1k x 1k, 25fps@512 x 512

1、请对具有毒性、腐蚀性、刺激性、易燃、易爆、放射性、磁性等对人员和仪器有害的样品(包括溶剂和分散介质)作出说明，在此对您的合作表示感谢; 2、低熔点的材料如锡钼等会产生相变和蒸镀效应以及在电子束照射下会分解或释放出气体的样品及有机物、高分子、磁性材料，有可能造成镜筒的污染，请预约前和我们沟通; 3、如果是易于氧化等特殊情况请先说明，约定时间后请尽快把样品送至实验室。